ਪਤਲੀ ਫਿਲਮ ਲਿਥੀਅਮ ਨਿਓਬੇਟ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟਿਕ ਮੋਡਿਊਲੇਟਰ ਦੀ ਖੋਜ ਪ੍ਰਗਤੀ

ਦੀ ਖੋਜ ਪ੍ਰਗਤੀਪਤਲੀ ਫਿਲਮ ਲਿਥੀਅਮ ਨਿਓਬੇਟ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟਿਕ ਮੋਡੂਲੇਟਰ

ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟਿਕ ਮੋਡੂਲੇਟਰ ਆਪਟੀਕਲ ਸੰਚਾਰ ਪ੍ਰਣਾਲੀ ਅਤੇ ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੇਵ ਫੋਟੋਨਿਕ ਪ੍ਰਣਾਲੀ ਦਾ ਮੁੱਖ ਯੰਤਰ ਹੈ। ਇਹ ਲਾਗੂ ਕੀਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ ਕਾਰਨ ਹੋਣ ਵਾਲੇ ਪਦਾਰਥ ਦੇ ਰਿਫ੍ਰੈਕਟਿਵ ਇੰਡੈਕਸ ਨੂੰ ਬਦਲ ਕੇ ਖਾਲੀ ਥਾਂ ਜਾਂ ਆਪਟੀਕਲ ਵੇਵਗਾਈਡ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰਸਾਰਿਤ ਹੋਣ ਵਾਲੇ ਪ੍ਰਕਾਸ਼ ਨੂੰ ਨਿਯੰਤ੍ਰਿਤ ਕਰਦਾ ਹੈ। ਰਵਾਇਤੀ ਲਿਥੀਅਮ ਨਿਓਬੇਟਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟੀਕਲ ਮੋਡੂਲੇਟਰਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟੀਕਲ ਸਮੱਗਰੀ ਵਜੋਂ ਥੋਕ ਲਿਥੀਅਮ ਨਿਓਬੇਟ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦਾ ਹੈ। ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਲਿਥੀਅਮ ਨਿਓਬੇਟ ਸਮੱਗਰੀ ਨੂੰ ਟਾਈਟੇਨੀਅਮ ਫੈਲਾਅ ਜਾਂ ਪ੍ਰੋਟੋਨ ਐਕਸਚੇਂਜ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਰਾਹੀਂ ਵੇਵਗਾਈਡ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਸਥਾਨਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਡੋਪ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਕੋਰ ਪਰਤ ਅਤੇ ਕਲੈਡਿੰਗ ਪਰਤ ਵਿਚਕਾਰ ਰਿਫ੍ਰੈਕਟਿਵ ਇੰਡੈਕਸ ਅੰਤਰ ਬਹੁਤ ਛੋਟਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਵੇਵਗਾਈਡ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰਕਾਸ਼ ਖੇਤਰ ਨਾਲ ਜੋੜਨ ਦੀ ਮਾੜੀ ਸਮਰੱਥਾ ਹੈ। ਪੈਕ ਕੀਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟੀਕਲ ਮੋਡੂਲੇਟਰ ਦੀ ਕੁੱਲ ਲੰਬਾਈ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ 5~10 ਸੈਂਟੀਮੀਟਰ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।

ਲਿਥੀਅਮ ਨਿਓਬੇਟ ਔਨ ਇੰਸੂਲੇਟਰ (LNOI) ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਲਿਥੀਅਮ ਨਿਓਬੇਟ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟਿਕ ਮੋਡੂਲੇਟਰ ਦੇ ਵੱਡੇ ਆਕਾਰ ਦੀ ਸਮੱਸਿਆ ਨੂੰ ਹੱਲ ਕਰਨ ਦਾ ਇੱਕ ਪ੍ਰਭਾਵਸ਼ਾਲੀ ਤਰੀਕਾ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੀ ਹੈ। ਵੇਵਗਾਈਡ ਕੋਰ ਲੇਅਰ ਅਤੇ ਕਲੈਡਿੰਗ ਲੇਅਰ ਵਿਚਕਾਰ ਰਿਫ੍ਰੈਕਟਿਵ ਇੰਡੈਕਸ ਅੰਤਰ 0.7 ਤੱਕ ਹੈ, ਜੋ ਵੇਵਗਾਈਡ ਦੀ ਆਪਟੀਕਲ ਮੋਡ ਬਾਈਡਿੰਗ ਸਮਰੱਥਾ ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟੀਕਲ ਰੈਗੂਲੇਸ਼ਨ ਪ੍ਰਭਾਵ ਨੂੰ ਬਹੁਤ ਵਧਾਉਂਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟੀਕਲ ਮੋਡੂਲੇਟਰ ਦੇ ਖੇਤਰ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਖੋਜ ਹੌਟਸਪੌਟ ਬਣ ਗਿਆ ਹੈ।

ਮਾਈਕ੍ਰੋ-ਮਸ਼ੀਨਿੰਗ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੀ ਤਰੱਕੀ ਦੇ ਕਾਰਨ, LNOI ਪਲੇਟਫਾਰਮ 'ਤੇ ਅਧਾਰਤ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟਿਕ ਮਾਡੂਲੇਟਰਾਂ ਦੇ ਵਿਕਾਸ ਵਿੱਚ ਤੇਜ਼ੀ ਨਾਲ ਤਰੱਕੀ ਹੋਈ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਵਧੇਰੇ ਸੰਖੇਪ ਆਕਾਰ ਅਤੇ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਵਿੱਚ ਨਿਰੰਤਰ ਸੁਧਾਰ ਦੇ ਰੁਝਾਨ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦੀ ਹੈ। ਵਰਤੇ ਗਏ ਵੇਵਗਾਈਡ ਢਾਂਚੇ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ, ਆਮ ਪਤਲੇ ਫਿਲਮ ਲਿਥੀਅਮ ਨਿਓਬੇਟ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟਿਕ ਮਾਡੂਲੇਟਰ ਸਿੱਧੇ ਤੌਰ 'ਤੇ ਐਚਡ ਵੇਵਗਾਈਡ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟਿਕ ਮਾਡੂਲੇਟਰ ਹਨ, ਲੋਡ ਕੀਤੇ ਹਾਈਬ੍ਰਿਡਵੇਵਗਾਈਡ ਮਾਡਿਊਲੇਟਰਅਤੇ ਹਾਈਬ੍ਰਿਡ ਸਿਲੀਕਾਨ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਵੇਵਗਾਈਡ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟਿਕ ਮਾਡਿਊਲੇਟਰ।

ਵਰਤਮਾਨ ਵਿੱਚ, ਸੁੱਕੀ ਐਚਿੰਗ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਵਿੱਚ ਸੁਧਾਰ ਪਤਲੀ ਫਿਲਮ ਲਿਥੀਅਮ ਨਿਓਬੇਟ ਵੇਵਗਾਈਡ ਦੇ ਨੁਕਸਾਨ ਨੂੰ ਬਹੁਤ ਘਟਾਉਂਦਾ ਹੈ, ਰਿਜ ਲੋਡਿੰਗ ਵਿਧੀ ਉੱਚ ਐਚਿੰਗ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੀ ਮੁਸ਼ਕਲ ਦੀ ਸਮੱਸਿਆ ਨੂੰ ਹੱਲ ਕਰਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ 1 V ਤੋਂ ਘੱਟ ਅੱਧੇ ਵੇਵ ਦੇ ਵੋਲਟੇਜ ਵਾਲੇ ਲਿਥੀਅਮ ਨਿਓਬੇਟ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟਿਕ ਮੋਡਿਊਲੇਟਰ ਨੂੰ ਸਾਕਾਰ ਕੀਤਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਪਰਿਪੱਕ SOI ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੇ ਨਾਲ ਸੁਮੇਲ ਫੋਟੋਨ ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਹਾਈਬ੍ਰਿਡ ਏਕੀਕਰਣ ਦੇ ਰੁਝਾਨ ਦੀ ਪਾਲਣਾ ਕਰਦਾ ਹੈ। ਪਤਲੀ ਫਿਲਮ ਲਿਥੀਅਮ ਨਿਓਬੇਟ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੇ ਚਿੱਪ 'ਤੇ ਘੱਟ ਨੁਕਸਾਨ, ਛੋਟੇ ਆਕਾਰ ਅਤੇ ਵੱਡੀ ਬੈਂਡਵਿਡਥ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟਿਕ ਮੋਡਿਊਲੇਟਰ ਨੂੰ ਸਾਕਾਰ ਕਰਨ ਵਿੱਚ ਫਾਇਦੇ ਹਨ। ਸਿਧਾਂਤਕ ਤੌਰ 'ਤੇ, ਇਹ ਭਵਿੱਖਬਾਣੀ ਕੀਤੀ ਗਈ ਹੈ ਕਿ 3mm ਪਤਲੀ ਫਿਲਮ ਲਿਥੀਅਮ ਨਿਓਬੇਟ ਪੁਸ਼-ਪੁੱਲM⁃Z ਮੋਡਿਊਲੇਟਰ3dB ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟੀਕਲ ਬੈਂਡਵਿਡਥ 400 GHz ਤੱਕ ਪਹੁੰਚ ਸਕਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਪ੍ਰਯੋਗਾਤਮਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਤਿਆਰ ਕੀਤੇ ਗਏ ਪਤਲੇ ਫਿਲਮ ਲਿਥੀਅਮ ਨਿਓਬੇਟ ਮੋਡਿਊਲੇਟਰ ਦੀ ਬੈਂਡਵਿਡਥ 100 GHz ਤੋਂ ਥੋੜ੍ਹੀ ਜ਼ਿਆਦਾ ਦੱਸੀ ਗਈ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਅਜੇ ਵੀ ਸਿਧਾਂਤਕ ਉਪਰਲੀ ਸੀਮਾ ਤੋਂ ਬਹੁਤ ਦੂਰ ਹੈ। ਬੁਨਿਆਦੀ ਢਾਂਚਾਗਤ ਮਾਪਦੰਡਾਂ ਨੂੰ ਅਨੁਕੂਲ ਬਣਾ ਕੇ ਲਿਆਂਦਾ ਗਿਆ ਸੁਧਾਰ ਸੀਮਤ ਹੈ। ਭਵਿੱਖ ਵਿੱਚ, ਨਵੇਂ ਵਿਧੀਆਂ ਅਤੇ ਢਾਂਚਿਆਂ ਦੀ ਪੜਚੋਲ ਕਰਨ ਦੇ ਦ੍ਰਿਸ਼ਟੀਕੋਣ ਤੋਂ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਸਟੈਂਡਰਡ ਕੋਪਲਾਨਰ ਵੇਵਗਾਈਡ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਨੂੰ ਇੱਕ ਖੰਡਿਤ ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੇਵ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਵਜੋਂ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਕਰਨਾ, ਮੋਡਿਊਲੇਟਰ ਦੀ ਕਾਰਗੁਜ਼ਾਰੀ ਵਿੱਚ ਹੋਰ ਸੁਧਾਰ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।

ਇਸ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਲੇਜ਼ਰਾਂ, ਡਿਟੈਕਟਰਾਂ ਅਤੇ ਹੋਰ ਡਿਵਾਈਸਾਂ ਦੇ ਨਾਲ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਮਾਡਿਊਲੇਟਰ ਚਿੱਪ ਪੈਕੇਜਿੰਗ ਅਤੇ ਆਨ-ਚਿੱਪ ਵਿਭਿੰਨ ਏਕੀਕਰਣ ਦੀ ਪ੍ਰਾਪਤੀ ਪਤਲੀ ਫਿਲਮ ਲਿਥੀਅਮ ਨਿਓਬੇਟ ਮਾਡਿਊਲੇਟਰਾਂ ਦੇ ਭਵਿੱਖ ਦੇ ਵਿਕਾਸ ਲਈ ਇੱਕ ਮੌਕਾ ਅਤੇ ਚੁਣੌਤੀ ਦੋਵੇਂ ਹੈ। ਪਤਲੀ ਫਿਲਮ ਲਿਥੀਅਮ ਨਿਓਬੇਟ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟਿਕ ਮਾਡਿਊਲੇਟਰ ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੇਵ ਫੋਟੋਨ, ਆਪਟੀਕਲ ਸੰਚਾਰ ਅਤੇ ਹੋਰ ਖੇਤਰਾਂ ਵਿੱਚ ਵਧੇਰੇ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਭੂਮਿਕਾ ਨਿਭਾਏਗਾ।