ਉੱਚ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਪਤਲੀ ਫਿਲਮ ਲਿਥੀਅਮ ਨਿਓਬੇਟ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟਿਕ ਮੋਡਿਊਲੇਟਰ

ਉੱਚ ਰੇਖਿਕਤਾਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟਿਕ ਮੋਡਿਊਲੇਟਰਅਤੇ ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੇਵ ਫੋਟੋਨ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ
ਸੰਚਾਰ ਪ੍ਰਣਾਲੀਆਂ ਦੀਆਂ ਵਧਦੀਆਂ ਲੋੜਾਂ ਦੇ ਨਾਲ, ਸਿਗਨਲਾਂ ਦੀ ਪ੍ਰਸਾਰਣ ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਵਿੱਚ ਹੋਰ ਸੁਧਾਰ ਕਰਨ ਲਈ, ਲੋਕ ਪੂਰਕ ਫਾਇਦੇ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਫੋਟੌਨਾਂ ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨਾਂ ਨੂੰ ਫਿਊਜ਼ ਕਰਨਗੇ, ਅਤੇ ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੇਵ ਫੋਟੋਨਿਕਸ ਪੈਦਾ ਹੋਣਗੇ।ਬਿਜਲੀ ਨੂੰ ਰੋਸ਼ਨੀ ਵਿੱਚ ਬਦਲਣ ਲਈ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟੀਕਲ ਮੋਡਿਊਲੇਟਰ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈਮਾਈਕ੍ਰੋਵੇਵ ਫੋਟੋਨਿਕ ਸਿਸਟਮ, ਅਤੇ ਇਹ ਮੁੱਖ ਕਦਮ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਪੂਰੇ ਸਿਸਟਮ ਦੀ ਕਾਰਗੁਜ਼ਾਰੀ ਨੂੰ ਨਿਰਧਾਰਤ ਕਰਦਾ ਹੈ।ਕਿਉਂਕਿ ਰੇਡੀਓ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ ਸਿਗਨਲ ਨੂੰ ਆਪਟੀਕਲ ਡੋਮੇਨ ਵਿੱਚ ਬਦਲਣਾ ਇੱਕ ਐਨਾਲਾਗ ਸਿਗਨਲ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਹੈ, ਅਤੇ ਆਮਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟੀਕਲ ਮਾਡਿਊਲੇਟਰਅੰਦਰੂਨੀ ਗੈਰ-ਰੇਖਿਕਤਾ ਹੈ, ਪਰਿਵਰਤਨ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਵਿੱਚ ਗੰਭੀਰ ਸੰਕੇਤ ਵਿਗਾੜ ਹੈ।ਲਗਭਗ ਲੀਨੀਅਰ ਮੋਡਿਊਲੇਸ਼ਨ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ, ਮੋਡਿਊਲੇਟਰ ਦਾ ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਪੁਆਇੰਟ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਆਰਥੋਗੋਨਲ ਬਾਈਸ ਪੁਆਇੰਟ 'ਤੇ ਫਿਕਸ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਪਰ ਇਹ ਅਜੇ ਵੀ ਮਾਡਿਊਲੇਟਰ ਦੀ ਰੇਖਿਕਤਾ ਲਈ ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੇਵ ਫੋਟੌਨ ਲਿੰਕ ਦੀਆਂ ਲੋੜਾਂ ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਨਹੀਂ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ।ਉੱਚ ਰੇਖਿਕਤਾ ਵਾਲੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟਿਕ ਮੋਡੀਊਲੇਟਰਾਂ ਦੀ ਤੁਰੰਤ ਲੋੜ ਹੈ।

ਸਿਲੀਕਾਨ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਹਾਈ-ਸਪੀਡ ਰਿਫ੍ਰੈਕਟਿਵ ਇੰਡੈਕਸ ਮੋਡੂਲੇਸ਼ਨ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਮੁਫਤ ਕੈਰੀਅਰ ਪਲਾਜ਼ਮਾ ਡਿਸਪਰਸ਼ਨ (FCD) ਪ੍ਰਭਾਵ ਦੁਆਰਾ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।FCD ਪ੍ਰਭਾਵ ਅਤੇ PN ਜੰਕਸ਼ਨ ਮੋਡਿਊਲੇਸ਼ਨ ਦੋਵੇਂ ਗੈਰ-ਰੇਖਿਕ ਹਨ, ਜੋ ਕਿ ਸਿਲੀਕਾਨ ਮੋਡਿਊਲੇਟਰ ਨੂੰ ਲਿਥਿਅਮ ਨਿਓਬੇਟ ਮੋਡਿਊਲੇਟਰ ਨਾਲੋਂ ਘੱਟ ਲੀਨੀਅਰ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ।ਲਿਥੀਅਮ ਨਿਓਬੇਟ ਸਮੱਗਰੀ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਕਰਦੀ ਹੈਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟੀਕਲ ਮੋਡੂਲੇਸ਼ਨਉਹਨਾਂ ਦੇ ਪੁਕਰ ਪ੍ਰਭਾਵ ਦੇ ਕਾਰਨ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ.ਇਸ ਦੇ ਨਾਲ ਹੀ, ਲਿਥੀਅਮ ਨਿਓਬੇਟ ਸਮੱਗਰੀ ਵਿੱਚ ਵੱਡੀ ਬੈਂਡਵਿਡਥ, ਚੰਗੀ ਮਾਡਿਊਲੇਸ਼ਨ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ, ਘੱਟ ਨੁਕਸਾਨ, ਆਸਾਨ ਏਕੀਕਰਣ ਅਤੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੇ ਨਾਲ ਅਨੁਕੂਲਤਾ ਦੇ ਫਾਇਦੇ ਹਨ, ਸਿਲੀਕਾਨ ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ ਉੱਚ-ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਵਾਲੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟੀਕਲ ਮੋਡਿਊਲੇਟਰ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਪਤਲੀ ਫਿਲਮ ਲਿਥੀਅਮ ਨਿਓਬੇਟ ਦੀ ਵਰਤੋਂ. ਲਗਭਗ ਕੋਈ "ਛੋਟੀ ਪਲੇਟ" ਨਹੀਂ, ਪਰ ਉੱਚ ਰੇਖਿਕਤਾ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਵੀ.ਪਤਲੀ ਫਿਲਮ ਲਿਥਿਅਮ ਨਿਓਬੇਟ (LNOI) ਇੰਸੂਲੇਟਰ 'ਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟਿਕ ਮੋਡਿਊਲੇਟਰ ਇੱਕ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਵਿਕਾਸ ਦਿਸ਼ਾ ਬਣ ਗਿਆ ਹੈ।ਪਤਲੀ ਫਿਲਮ ਲਿਥੀਅਮ ਨਿਓਬੇਟ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਤਿਆਰੀ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਅਤੇ ਵੇਵਗਾਈਡ ਐਚਿੰਗ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੇ ਵਿਕਾਸ ਦੇ ਨਾਲ, ਉੱਚ ਪਰਿਵਰਤਨ ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਅਤੇ ਪਤਲੀ ਫਿਲਮ ਲਿਥੀਅਮ ਨਿਓਬੇਟ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟਿਕ ਮੋਡਿਊਲੇਟਰ ਦਾ ਉੱਚ ਏਕੀਕਰਣ ਅੰਤਰਰਾਸ਼ਟਰੀ ਅਕਾਦਮਿਕ ਅਤੇ ਉਦਯੋਗ ਦਾ ਖੇਤਰ ਬਣ ਗਿਆ ਹੈ।

ਪਤਲੀ ਫਿਲਮ ਲਿਥੀਅਮ ਨਿਓਬੇਟ ਦੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ
ਸੰਯੁਕਤ ਰਾਜ ਵਿੱਚ ਡੀਏਪੀ ਏਆਰ ਯੋਜਨਾ ਨੇ ਲਿਥੀਅਮ ਨਿਓਬੇਟ ਸਮੱਗਰੀ ਦਾ ਨਿਮਨਲਿਖਤ ਮੁਲਾਂਕਣ ਕੀਤਾ ਹੈ: ਜੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਕ੍ਰਾਂਤੀ ਦੇ ਕੇਂਦਰ ਦਾ ਨਾਮ ਸਿਲਿਕਨ ਸਮੱਗਰੀ ਦੇ ਨਾਮ ਤੇ ਰੱਖਿਆ ਗਿਆ ਹੈ ਜੋ ਇਸਨੂੰ ਸੰਭਵ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਫੋਟੋਨਿਕਸ ਕ੍ਰਾਂਤੀ ਦੇ ਜਨਮ ਸਥਾਨ ਦਾ ਨਾਮ ਲਿਥੀਅਮ ਨਿਓਬੇਟ ਦੇ ਨਾਮ ਤੇ ਰੱਖੇ ਜਾਣ ਦੀ ਸੰਭਾਵਨਾ ਹੈ। .ਇਹ ਇਸ ਲਈ ਹੈ ਕਿਉਂਕਿ ਲਿਥੀਅਮ ਨਿਓਬੇਟ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟੀਕਲ ਪ੍ਰਭਾਵ, ਅਕੌਸਟੋ-ਆਪਟੀਕਲ ਪ੍ਰਭਾਵ, ਪੀਜ਼ੋਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਪ੍ਰਭਾਵ, ਥਰਮੋਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਪ੍ਰਭਾਵ ਅਤੇ ਫੋਟੋਰੋਫ੍ਰੈਕਟਿਵ ਪ੍ਰਭਾਵ ਨੂੰ ਇੱਕ ਵਿੱਚ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਆਪਟਿਕਸ ਦੇ ਖੇਤਰ ਵਿੱਚ ਸਿਲੀਕਾਨ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਦੀ ਤਰ੍ਹਾਂ।

ਆਪਟੀਕਲ ਟ੍ਰਾਂਸਮਿਸ਼ਨ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ, ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤੇ ਜਾਂਦੇ 1550nm ਬੈਂਡ ਵਿੱਚ ਰੋਸ਼ਨੀ ਨੂੰ ਜਜ਼ਬ ਕਰਨ ਦੇ ਕਾਰਨ InP ਸਮੱਗਰੀ ਵਿੱਚ ਸਭ ਤੋਂ ਵੱਧ ਆਨ-ਚਿੱਪ ਟ੍ਰਾਂਸਮਿਸ਼ਨ ਨੁਕਸਾਨ ਹੁੰਦਾ ਹੈ।SiO2 ਅਤੇ ਸਿਲੀਕਾਨ ਨਾਈਟਰਾਈਡ ਵਿੱਚ ਸਭ ਤੋਂ ਵਧੀਆ ਪ੍ਰਸਾਰਣ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਹਨ, ਅਤੇ ਨੁਕਸਾਨ ~ 0.01dB/cm ਦੇ ਪੱਧਰ ਤੱਕ ਪਹੁੰਚ ਸਕਦਾ ਹੈ;ਵਰਤਮਾਨ ਵਿੱਚ, ਪਤਲੀ-ਫਿਲਮ ਲਿਥੀਅਮ ਨਿਓਬੇਟ ਵੇਵਗਾਈਡ ਦਾ ਨੁਕਸਾਨ 0.03dB/ਸੈ.ਮੀ. ਦੇ ਪੱਧਰ ਤੱਕ ਪਹੁੰਚ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਪਤਲੀ-ਫਿਲਮ ਲਿਥੀਅਮ ਨਿਓਬੇਟ ਵੇਵਗਾਈਡ ਦੇ ਨੁਕਸਾਨ ਵਿੱਚ ਤਕਨੀਕੀ ਪੱਧਰ ਦੇ ਨਿਰੰਤਰ ਸੁਧਾਰ ਦੇ ਨਾਲ ਹੋਰ ਘੱਟ ਹੋਣ ਦੀ ਸੰਭਾਵਨਾ ਹੈ। ਭਵਿੱਖ.ਇਸ ਲਈ, ਪਤਲੀ ਫਿਲਮ ਲਿਥੀਅਮ ਨਿਓਬੇਟ ਸਮੱਗਰੀ ਪੈਸਿਵ ਲਾਈਟ ਸਟ੍ਰਕਚਰ ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਫੋਟੋਸਿੰਥੈਟਿਕ ਮਾਰਗ, ਸ਼ੰਟ ਅਤੇ ਮਾਈਕ੍ਰੋਰਿੰਗ ਲਈ ਚੰਗੀ ਕਾਰਗੁਜ਼ਾਰੀ ਦਿਖਾਏਗੀ।

ਰੋਸ਼ਨੀ ਪੈਦਾ ਕਰਨ ਦੇ ਮਾਮਲੇ ਵਿੱਚ, ਸਿਰਫ਼ InP ਕੋਲ ਹੀ ਰੌਸ਼ਨੀ ਨੂੰ ਸਿੱਧਾ ਛੱਡਣ ਦੀ ਸਮਰੱਥਾ ਹੈ;ਇਸਲਈ, ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੇਵ ਫੋਟੌਨਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਲਈ, ਬੈਕਲੋਡਿੰਗ ਵੈਲਡਿੰਗ ਜਾਂ ਐਪੀਟੈਕਸੀਲ ਵਿਕਾਸ ਦੇ ਤਰੀਕੇ ਦੁਆਰਾ LNOI ਅਧਾਰਤ ਫੋਟੋਨਿਕ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਚਿੱਪ 'ਤੇ InP ਅਧਾਰਤ ਪ੍ਰਕਾਸ਼ ਸਰੋਤ ਨੂੰ ਪੇਸ਼ ਕਰਨਾ ਜ਼ਰੂਰੀ ਹੈ।ਲਾਈਟ ਮੋਡੂਲੇਸ਼ਨ ਦੇ ਸੰਦਰਭ ਵਿੱਚ, ਉੱਪਰ ਇਸ ਗੱਲ 'ਤੇ ਜ਼ੋਰ ਦਿੱਤਾ ਗਿਆ ਹੈ ਕਿ ਪਤਲੀ ਫਿਲਮ ਲਿਥਿਅਮ ਨਿਓਬੇਟ ਸਮੱਗਰੀ ਵੱਡੀ ਮੋਡਿਊਲੇਸ਼ਨ ਬੈਂਡਵਿਡਥ, ਹੇਠਲੇ ਅੱਧੇ-ਵੇਵ ਵੋਲਟੇਜ ਅਤੇ InP ਅਤੇ Si ਨਾਲੋਂ ਘੱਟ ਪ੍ਰਸਾਰਣ ਨੁਕਸਾਨ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨਾ ਆਸਾਨ ਹੈ।ਇਸ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਪਤਲੀ ਫਿਲਮ ਲਿਥੀਅਮ ਨਿਓਬੇਟ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟੀਕਲ ਮੋਡੂਲੇਸ਼ਨ ਦੀ ਉੱਚ ਰੇਖਿਕਤਾ ਸਾਰੇ ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੇਵ ਫੋਟੋਨ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਲਈ ਜ਼ਰੂਰੀ ਹੈ।

ਆਪਟੀਕਲ ਰੂਟਿੰਗ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ, ਪਤਲੀ ਫਿਲਮ ਲਿਥੀਅਮ ਨਿਓਬੇਟ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਹਾਈ ਸਪੀਡ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟੀਕਲ ਪ੍ਰਤੀਕ੍ਰਿਆ LNOI ਅਧਾਰਤ ਆਪਟੀਕਲ ਸਵਿੱਚ ਨੂੰ ਹਾਈ-ਸਪੀਡ ਆਪਟੀਕਲ ਰਾਊਟਿੰਗ ਸਵਿਚਿੰਗ ਦੇ ਸਮਰੱਥ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਅਜਿਹੇ ਹਾਈ-ਸਪੀਡ ਸਵਿਚਿੰਗ ਦੀ ਪਾਵਰ ਖਪਤ ਵੀ ਬਹੁਤ ਘੱਟ ਹੈ।ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੇਵ ਫੋਟੌਨ ਟੈਕਨਾਲੋਜੀ ਦੀ ਆਮ ਵਰਤੋਂ ਲਈ, ਆਪਟੀਕਲ ਤੌਰ 'ਤੇ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਬੀਮਫਾਰਮਿੰਗ ਚਿੱਪ ਵਿੱਚ ਤੇਜ਼ ਬੀਮ ਸਕੈਨਿੰਗ ਦੀਆਂ ਜ਼ਰੂਰਤਾਂ ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਕਰਨ ਲਈ ਉੱਚ-ਸਪੀਡ ਸਵਿਚਿੰਗ ਦੀ ਸਮਰੱਥਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਅਤਿ-ਘੱਟ ਬਿਜਲੀ ਦੀ ਖਪਤ ਦੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਵੱਡੇ ਪੱਧਰ ਦੀਆਂ ਸਖਤ ਜ਼ਰੂਰਤਾਂ ਦੇ ਅਨੁਕੂਲ ਹਨ। - ਸਕੇਲ ਪੜਾਅਬੱਧ ਐਰੇ ਸਿਸਟਮ.ਹਾਲਾਂਕਿ InP ਅਧਾਰਤ ਆਪਟੀਕਲ ਸਵਿੱਚ ਹਾਈ-ਸਪੀਡ ਆਪਟੀਕਲ ਪਾਥ ਸਵਿਚਿੰਗ ਨੂੰ ਵੀ ਮਹਿਸੂਸ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਇਹ ਵੱਡੇ ਸ਼ੋਰ ਨੂੰ ਪੇਸ਼ ਕਰੇਗਾ, ਖਾਸ ਤੌਰ 'ਤੇ ਜਦੋਂ ਮਲਟੀਲੇਵਲ ਆਪਟੀਕਲ ਸਵਿੱਚ ਨੂੰ ਕੈਸਕੇਡ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਸ਼ੋਰ ਗੁਣਾਂਕ ਗੰਭੀਰਤਾ ਨਾਲ ਵਿਗੜ ਜਾਵੇਗਾ।ਸਿਲੀਕਾਨ, SiO2 ਅਤੇ ਸਿਲੀਕਾਨ ਨਾਈਟਰਾਈਡ ਸਮੱਗਰੀ ਸਿਰਫ ਥਰਮੋ-ਆਪਟੀਕਲ ਪ੍ਰਭਾਵ ਜਾਂ ਕੈਰੀਅਰ ਡਿਸਪਰਸ਼ਨ ਪ੍ਰਭਾਵ ਦੁਆਰਾ ਆਪਟੀਕਲ ਮਾਰਗਾਂ ਨੂੰ ਬਦਲ ਸਕਦੀ ਹੈ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਉੱਚ ਬਿਜਲੀ ਦੀ ਖਪਤ ਅਤੇ ਹੌਲੀ ਸਵਿਚਿੰਗ ਸਪੀਡ ਦੇ ਨੁਕਸਾਨ ਹਨ।ਜਦੋਂ ਪੜਾਅਵਾਰ ਐਰੇ ਦਾ ਐਰੇ ਆਕਾਰ ਵੱਡਾ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਇਹ ਪਾਵਰ ਖਪਤ ਦੀਆਂ ਲੋੜਾਂ ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਨਹੀਂ ਕਰ ਸਕਦਾ।

ਆਪਟੀਕਲ ਐਂਪਲੀਫਿਕੇਸ਼ਨ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ,ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਆਪਟੀਕਲ ਐਂਪਲੀਫਾਇਰ (ਐਸ.ਓ.ਏInP 'ਤੇ ਅਧਾਰਤ ਵਪਾਰਕ ਵਰਤੋਂ ਲਈ ਪਰਿਪੱਕ ਹੋ ਗਿਆ ਹੈ, ਪਰ ਇਸ ਵਿੱਚ ਉੱਚ ਸ਼ੋਰ ਗੁਣਾਂਕ ਅਤੇ ਘੱਟ ਸੰਤ੍ਰਿਪਤਾ ਆਉਟਪੁੱਟ ਪਾਵਰ ਦੇ ਨੁਕਸਾਨ ਹਨ, ਜੋ ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੇਵ ਫੋਟੌਨਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਲਈ ਅਨੁਕੂਲ ਨਹੀਂ ਹੈ।ਪੀਰੀਅਡਿਕ ਐਕਟੀਵੇਸ਼ਨ ਅਤੇ ਇਨਵਰਸ਼ਨ 'ਤੇ ਅਧਾਰਤ ਪਤਲੀ-ਫਿਲਮ ਲਿਥੀਅਮ ਨਿਓਬੇਟ ਵੇਵਗਾਈਡ ਦੀ ਪੈਰਾਮੀਟ੍ਰਿਕ ਐਂਪਲੀਫਿਕੇਸ਼ਨ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਘੱਟ ਸ਼ੋਰ ਅਤੇ ਉੱਚ ਸ਼ਕਤੀ ਆਨ-ਚਿੱਪ ਆਪਟੀਕਲ ਐਂਪਲੀਫਿਕੇਸ਼ਨ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰ ਸਕਦੀ ਹੈ, ਜੋ ਆਨ-ਚਿੱਪ ਆਪਟੀਕਲ ਐਂਪਲੀਫਿਕੇਸ਼ਨ ਲਈ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੇਵ ਫੋਟੋਨ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੀਆਂ ਜ਼ਰੂਰਤਾਂ ਨੂੰ ਚੰਗੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਪੂਰਾ ਕਰ ਸਕਦੀ ਹੈ।

ਰੋਸ਼ਨੀ ਦੀ ਖੋਜ ਦੇ ਮਾਮਲੇ ਵਿੱਚ, ਪਤਲੀ ਫਿਲਮ ਲਿਥੀਅਮ ਨਿਓਬੇਟ ਵਿੱਚ 1550 ਐਨਐਮ ਬੈਂਡ ਵਿੱਚ ਰੋਸ਼ਨੀ ਲਈ ਚੰਗੀ ਪ੍ਰਸਾਰਣ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਹਨ।ਫੋਟੋਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਪਰਿਵਰਤਨ ਦੇ ਫੰਕਸ਼ਨ ਨੂੰ ਮਹਿਸੂਸ ਨਹੀਂ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ, ਇਸਲਈ ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੇਵ ਫੋਟੋਨ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਲਈ, ਚਿਪ 'ਤੇ ਫੋਟੋਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਪਰਿਵਰਤਨ ਦੀਆਂ ਜ਼ਰੂਰਤਾਂ ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਕਰਨ ਲਈ।InGaAs ਜਾਂ Ge-Si ਖੋਜ ਯੂਨਿਟਾਂ ਨੂੰ LNOI ਅਧਾਰਤ ਫੋਟੋਨਿਕ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਚਿਪਸ 'ਤੇ ਬੈਕਲੋਡਿੰਗ ਵੈਲਡਿੰਗ ਜਾਂ ਐਪੀਟੈਕਸੀਅਲ ਗਰੋਥ ਦੁਆਰਾ ਪੇਸ਼ ਕੀਤੇ ਜਾਣ ਦੀ ਜ਼ਰੂਰਤ ਹੈ।ਆਪਟੀਕਲ ਫਾਈਬਰ ਦੇ ਨਾਲ ਜੋੜਨ ਦੇ ਸੰਦਰਭ ਵਿੱਚ, ਕਿਉਂਕਿ ਆਪਟੀਕਲ ਫਾਈਬਰ ਆਪਣੇ ਆਪ ਵਿੱਚ SiO2 ਸਮੱਗਰੀ ਹੈ, SiO2 ਵੇਵਗਾਈਡ ਦੇ ਮੋਡ ਖੇਤਰ ਵਿੱਚ ਆਪਟੀਕਲ ਫਾਈਬਰ ਦੇ ਮੋਡ ਖੇਤਰ ਨਾਲ ਸਭ ਤੋਂ ਵੱਧ ਮੇਲ ਖਾਂਦੀ ਡਿਗਰੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਕਪਲਿੰਗ ਸਭ ਤੋਂ ਸੁਵਿਧਾਜਨਕ ਹੈ।ਪਤਲੀ ਫਿਲਮ ਲਿਥਿਅਮ ਨਿਓਬੇਟ ਦੀ ਮਜ਼ਬੂਤੀ ਨਾਲ ਪ੍ਰਤਿਬੰਧਿਤ ਵੇਵਗਾਈਡ ਦਾ ਮੋਡ ਫੀਲਡ ਵਿਆਸ ਲਗਭਗ 1μm ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਆਪਟੀਕਲ ਫਾਈਬਰ ਦੇ ਮੋਡ ਫੀਲਡ ਤੋਂ ਕਾਫੀ ਵੱਖਰਾ ਹੈ, ਇਸਲਈ ਆਪਟੀਕਲ ਫਾਈਬਰ ਦੇ ਮੋਡ ਫੀਲਡ ਨਾਲ ਮੇਲ ਕਰਨ ਲਈ ਸਹੀ ਮੋਡ ਸਪਾਟ ਪਰਿਵਰਤਨ ਕੀਤਾ ਜਾਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ।

ਏਕੀਕਰਣ ਦੇ ਸੰਦਰਭ ਵਿੱਚ, ਕੀ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਵਿੱਚ ਉੱਚ ਏਕੀਕਰਣ ਸਮਰੱਥਾ ਹੈ, ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵੇਵਗਾਈਡ ਦੇ ਝੁਕਣ ਵਾਲੇ ਘੇਰੇ (ਵੇਵਗਾਈਡ ਮੋਡ ਫੀਲਡ ਦੀ ਸੀਮਾ ਦੁਆਰਾ ਪ੍ਰਭਾਵਿਤ) 'ਤੇ ਨਿਰਭਰ ਕਰਦਾ ਹੈ।ਜ਼ੋਰਦਾਰ ਪ੍ਰਤਿਬੰਧਿਤ ਵੇਵਗਾਈਡ ਇੱਕ ਛੋਟੇ ਝੁਕਣ ਦੇ ਘੇਰੇ ਦੀ ਆਗਿਆ ਦਿੰਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਉੱਚ ਏਕੀਕਰਣ ਦੀ ਪ੍ਰਾਪਤੀ ਲਈ ਵਧੇਰੇ ਅਨੁਕੂਲ ਹੈ।ਇਸ ਲਈ, ਪਤਲੀ-ਫਿਲਮ ਲਿਥੀਅਮ ਨਿਓਬੇਟ ਵੇਵਗਾਈਡਜ਼ ਵਿੱਚ ਉੱਚ ਏਕੀਕਰਣ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਦੀ ਸਮਰੱਥਾ ਹੈ.ਇਸ ਲਈ, ਪਤਲੀ ਫਿਲਮ ਲਿਥੀਅਮ ਨਿਓਬੇਟ ਦੀ ਦਿੱਖ ਲਿਥੀਅਮ ਨਿਓਬੇਟ ਸਮੱਗਰੀ ਲਈ ਆਪਟੀਕਲ "ਸਿਲਿਕਨ" ਦੀ ਭੂਮਿਕਾ ਨਿਭਾਉਣਾ ਸੰਭਵ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ।ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੇਵ ਫੋਟੌਨਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਲਈ, ਪਤਲੀ ਫਿਲਮ ਲਿਥੀਅਮ ਨਿਓਬੇਟ ਦੇ ਫਾਇਦੇ ਵਧੇਰੇ ਸਪੱਸ਼ਟ ਹਨ।