ਪੇਕਿੰਗ ਯੂਨੀਵਰਸਿਟੀ ਨੂੰ ਇੱਕ perovskite ਲਗਾਤਾਰ ਅਹਿਸਾਸਲੇਜ਼ਰ ਸਰੋਤ1 ਵਰਗ ਮਾਈਕ੍ਰੋਨ ਤੋਂ ਛੋਟਾ
ਔਨ-ਚਿੱਪ ਆਪਟੀਕਲ ਇੰਟਰਕਨੈਕਸ਼ਨ (<10 fJ ਬਿੱਟ-1) ਦੀ ਘੱਟ ਊਰਜਾ ਖਪਤ ਦੀ ਲੋੜ ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਕਰਨ ਲਈ 1μm2 ਤੋਂ ਘੱਟ ਇੱਕ ਡਿਵਾਈਸ ਖੇਤਰ ਦੇ ਨਾਲ ਇੱਕ ਨਿਰੰਤਰ ਲੇਜ਼ਰ ਸਰੋਤ ਦਾ ਨਿਰਮਾਣ ਕਰਨਾ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਹੈ।ਹਾਲਾਂਕਿ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਡਿਵਾਈਸ ਦਾ ਆਕਾਰ ਘਟਦਾ ਹੈ, ਆਪਟੀਕਲ ਅਤੇ ਪਦਾਰਥਕ ਨੁਕਸਾਨ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਧਦੇ ਹਨ, ਇਸਲਈ ਉਪ-ਮਾਈਕ੍ਰੋਨ ਡਿਵਾਈਸ ਦੇ ਆਕਾਰ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨਾ ਅਤੇ ਲੇਜ਼ਰ ਸਰੋਤਾਂ ਦੀ ਨਿਰੰਤਰ ਆਪਟੀਕਲ ਪੰਪਿੰਗ ਬਹੁਤ ਚੁਣੌਤੀਪੂਰਨ ਹੈ।ਹਾਲ ਹੀ ਦੇ ਸਾਲਾਂ ਵਿੱਚ, ਹੈਲਾਈਡ ਪੇਰੋਵਸਕਾਈਟ ਸਮੱਗਰੀ ਨੂੰ ਉਹਨਾਂ ਦੇ ਉੱਚ ਆਪਟੀਕਲ ਲਾਭ ਅਤੇ ਵਿਲੱਖਣ ਐਕਸੀਟਨ ਪੋਲਰੀਟਨ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਦੇ ਕਾਰਨ ਲਗਾਤਾਰ ਆਪਟੀਕਲ ਪੰਪ ਕੀਤੇ ਲੇਜ਼ਰਾਂ ਦੇ ਖੇਤਰ ਵਿੱਚ ਵਿਆਪਕ ਧਿਆਨ ਦਿੱਤਾ ਗਿਆ ਹੈ।ਪੇਰੋਵਸਕਾਈਟ ਨਿਰੰਤਰ ਲੇਜ਼ਰ ਸਰੋਤਾਂ ਦਾ ਹੁਣ ਤੱਕ ਰਿਪੋਰਟ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਡਿਵਾਈਸ ਖੇਤਰ ਅਜੇ ਵੀ 10μm2 ਤੋਂ ਵੱਧ ਹੈ, ਅਤੇ ਸਬਮਾਈਕ੍ਰੋਨ ਲੇਜ਼ਰ ਸਰੋਤਾਂ ਨੂੰ ਉਤੇਜਿਤ ਕਰਨ ਲਈ ਉੱਚ ਪੰਪ ਊਰਜਾ ਘਣਤਾ ਦੇ ਨਾਲ ਪਲਸਡ ਰੋਸ਼ਨੀ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।
ਇਸ ਚੁਣੌਤੀ ਦੇ ਜਵਾਬ ਵਿੱਚ, ਪੇਕਿੰਗ ਯੂਨੀਵਰਸਿਟੀ ਦੇ ਸਕੂਲ ਆਫ਼ ਮੈਟੀਰੀਅਲਸ ਸਾਇੰਸ ਐਂਡ ਇੰਜਨੀਅਰਿੰਗ ਦੇ ਝਾਂਗ ਕਿੰਗ ਦੇ ਖੋਜ ਸਮੂਹ ਨੇ 0.65μm2 ਤੱਕ ਘੱਟ ਡਿਵਾਈਸ ਖੇਤਰ ਦੇ ਨਾਲ ਨਿਰੰਤਰ ਆਪਟੀਕਲ ਪੰਪਿੰਗ ਲੇਜ਼ਰ ਸਰੋਤਾਂ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਉੱਚ-ਗੁਣਵੱਤਾ ਪੇਰੋਵਸਕਾਈਟ ਸਬਮਾਈਕ੍ਰੋਨ ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਸਮੱਗਰੀ ਨੂੰ ਸਫਲਤਾਪੂਰਵਕ ਤਿਆਰ ਕੀਤਾ।ਉਸੇ ਸਮੇਂ, ਫੋਟੌਨ ਪ੍ਰਗਟ ਹੁੰਦਾ ਹੈ.ਸਬਮਾਈਕ੍ਰੋਨ ਲਗਾਤਾਰ ਆਪਟੀਕਲ ਪੰਪਡ ਲੇਸਿੰਗ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਵਿੱਚ ਐਕਸੀਟੋਨ ਪੋਲਰੀਟਨ ਦੀ ਵਿਧੀ ਨੂੰ ਡੂੰਘਾਈ ਨਾਲ ਸਮਝਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਛੋਟੇ ਆਕਾਰ ਦੇ ਘੱਟ ਥ੍ਰੈਸ਼ਹੋਲਡ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਲੇਜ਼ਰਾਂ ਦੇ ਵਿਕਾਸ ਲਈ ਇੱਕ ਨਵਾਂ ਵਿਚਾਰ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦਾ ਹੈ।ਅਧਿਐਨ ਦੇ ਨਤੀਜੇ, "1 μm2 ਤੋਂ ਹੇਠਾਂ ਡਿਵਾਈਸ ਖੇਤਰ ਦੇ ਨਾਲ ਲਗਾਤਾਰ ਵੇਵ ਪੰਪਡ ਪੇਰੋਵਸਕਾਈਟ ਲੇਜ਼ਰ" ਸਿਰਲੇਖ ਵਾਲੇ ਅਧਿਐਨ ਦੇ ਨਤੀਜੇ ਹਾਲ ਹੀ ਵਿੱਚ ਐਡਵਾਂਸਡ ਸਮੱਗਰੀ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰਕਾਸ਼ਿਤ ਕੀਤੇ ਗਏ ਸਨ।
ਇਸ ਕੰਮ ਵਿੱਚ, ਰਸਾਇਣਕ ਭਾਫ਼ ਜਮ੍ਹਾਂ ਕਰਕੇ ਨੀਲਮ ਸਬਸਟਰੇਟ ਉੱਤੇ ਅਕਾਰਗਨਿਕ ਪੇਰੋਵਸਕਾਈਟ CsPbBr3 ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਮਾਈਕ੍ਰੋਨ ਸ਼ੀਟ ਤਿਆਰ ਕੀਤੀ ਗਈ ਸੀ।ਇਹ ਦੇਖਿਆ ਗਿਆ ਸੀ ਕਿ ਕਮਰੇ ਦੇ ਤਾਪਮਾਨ 'ਤੇ ਧੁਨੀ ਕੰਧ ਦੇ ਮਾਈਕ੍ਰੋਕੈਵਿਟੀ ਫੋਟੌਨਾਂ ਦੇ ਨਾਲ ਪੈਰੋਵਸਕਾਈਟ ਐਕਸੀਟੌਨਸ ਦੇ ਮਜ਼ਬੂਤ ਜੋੜਨ ਦੇ ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਐਕਸੀਟੋਨਿਕ ਪੋਲਰੀਟੋਨ ਦਾ ਨਿਰਮਾਣ ਹੋਇਆ।ਸਬੂਤਾਂ ਦੀ ਇੱਕ ਲੜੀ ਦੁਆਰਾ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਰੇਖਿਕ ਤੋਂ ਗੈਰ-ਰੇਖਿਕ ਨਿਕਾਸ ਤੀਬਰਤਾ, ਤੰਗ ਲਾਈਨ ਚੌੜਾਈ, ਨਿਕਾਸ ਧਰੁਵੀਕਰਨ ਪਰਿਵਰਤਨ ਅਤੇ ਥ੍ਰੈਸ਼ਹੋਲਡ 'ਤੇ ਸਥਾਨਿਕ ਤਾਲਮੇਲ ਪਰਿਵਰਤਨ, ਉਪ-ਮਾਈਕ੍ਰੋਨ-ਆਕਾਰ ਦੇ CsPbBr3 ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦੇ ਲਗਾਤਾਰ ਆਪਟੀਕਲ ਪੰਪਡ ਫਲੋਰੋਸੈਂਸ ਲੇਜ਼ ਦੀ ਪੁਸ਼ਟੀ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਡਿਵਾਈਸ ਖੇਤਰ 0.65μm2 ਜਿੰਨਾ ਘੱਟ ਹੈ।ਉਸੇ ਸਮੇਂ, ਇਹ ਪਾਇਆ ਗਿਆ ਕਿ ਸਬਮਾਈਕ੍ਰੋਨ ਲੇਜ਼ਰ ਸਰੋਤ ਦੀ ਥ੍ਰੈਸ਼ਹੋਲਡ ਵੱਡੇ-ਆਕਾਰ ਦੇ ਲੇਜ਼ਰ ਸਰੋਤ ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ ਹੈ, ਅਤੇ ਇਹ ਘੱਟ ਵੀ ਹੋ ਸਕਦੀ ਹੈ (ਚਿੱਤਰ 1)।
ਚਿੱਤਰ 1. ਨਿਰੰਤਰ ਆਪਟੀਕਲ ਪੰਪ ਕੀਤਾ ਸਬਮਾਈਕ੍ਰੋਨ CsPbBr3ਲੇਜ਼ਰ ਰੋਸ਼ਨੀ ਸਰੋਤ
ਇਸ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਇਹ ਕੰਮ ਪ੍ਰਯੋਗਾਤਮਕ ਅਤੇ ਸਿਧਾਂਤਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਦੋਵਾਂ ਦੀ ਪੜਚੋਲ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਸਬਮਾਈਕ੍ਰੋਨ ਨਿਰੰਤਰ ਲੇਜ਼ਰ ਸਰੋਤਾਂ ਦੀ ਪ੍ਰਾਪਤੀ ਵਿੱਚ ਐਕਸੀਟੋਨ-ਪੋਲਰਾਈਜ਼ਡ ਐਕਸੀਟਨ ਦੀ ਵਿਧੀ ਨੂੰ ਪ੍ਰਗਟ ਕਰਦਾ ਹੈ।ਸਬਮਾਈਕ੍ਰੋਨ ਪੇਰੋਵਸਕਾਈਟਸ ਵਿੱਚ ਵਧੇ ਹੋਏ ਫੋਟੌਨ-ਐਕਸੀਟੋਨ ਕਪਲਿੰਗ ਦੇ ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਗਰੁੱਪ ਰਿਫ੍ਰੈਕਟਿਵ ਇੰਡੈਕਸ ਵਿੱਚ ਲਗਭਗ 80 ਤੱਕ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਵਾਧਾ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਮੋਡ ਦੇ ਨੁਕਸਾਨ ਦੀ ਪੂਰਤੀ ਲਈ ਮੋਡ ਲਾਭ ਨੂੰ ਕਾਫ਼ੀ ਹੱਦ ਤੱਕ ਵਧਾਉਂਦਾ ਹੈ।ਇਸਦਾ ਨਤੀਜਾ ਇੱਕ ਉੱਚ ਪ੍ਰਭਾਵੀ ਮਾਈਕ੍ਰੋਕੈਵਿਟੀ ਗੁਣਵੱਤਾ ਕਾਰਕ ਅਤੇ ਇੱਕ ਸੰਕੁਚਿਤ ਐਮਿਸ਼ਨ ਲਾਈਨਵਿਡਥ (ਚਿੱਤਰ 2) ਦੇ ਨਾਲ ਇੱਕ ਪੇਰੋਵਸਕਾਈਟ ਸਬਮਾਈਕ੍ਰੋਨ ਲੇਜ਼ਰ ਸਰੋਤ ਵਿੱਚ ਵੀ ਹੁੰਦਾ ਹੈ।ਇਹ ਮਕੈਨਿਜ਼ਮ ਹੋਰ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਦੇ ਆਧਾਰ 'ਤੇ ਛੋਟੇ-ਆਕਾਰ, ਘੱਟ-ਥ੍ਰੈਸ਼ਹੋਲਡ ਲੇਜ਼ਰਾਂ ਦੇ ਵਿਕਾਸ ਲਈ ਨਵੀਂ ਸਮਝ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦਾ ਹੈ।
ਚਿੱਤਰ 2. ਐਕਸੀਟੋਨਿਕ ਪੋਲਰਾਈਜ਼ੋਨ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ ਸਬ-ਮਾਈਕ੍ਰੋਨ ਲੇਜ਼ਰ ਸਰੋਤ ਦੀ ਵਿਧੀ
ਸੋਂਗ ਜੀਪੇਂਗ, ਪੇਕਿੰਗ ਯੂਨੀਵਰਸਿਟੀ ਦੇ ਸਕੂਲ ਆਫ਼ ਮੈਟੀਰੀਅਲ ਸਾਇੰਸ ਐਂਡ ਇੰਜਨੀਅਰਿੰਗ ਦਾ 2020 ਜ਼ੀਬੋ ਦਾ ਵਿਦਿਆਰਥੀ, ਪੇਪਰ ਦਾ ਪਹਿਲਾ ਲੇਖਕ ਹੈ, ਅਤੇ ਪੇਕਿੰਗ ਯੂਨੀਵਰਸਿਟੀ ਪੇਪਰ ਦੀ ਪਹਿਲੀ ਇਕਾਈ ਹੈ।ਝਾਂਗ ਕਿੰਗ ਅਤੇ ਸਿਂਗੂਆ ਯੂਨੀਵਰਸਿਟੀ ਦੇ ਭੌਤਿਕ ਵਿਗਿਆਨ ਦੇ ਪ੍ਰੋਫ਼ੈਸਰ ਜ਼ਿਓਂਗ ਕਿਹੂਆ, ਅਨੁਸਾਰੀ ਲੇਖਕ ਹਨ।ਇਸ ਕੰਮ ਨੂੰ ਨੈਸ਼ਨਲ ਨੈਚੁਰਲ ਸਾਇੰਸ ਫਾਊਂਡੇਸ਼ਨ ਆਫ ਚਾਈਨਾ ਅਤੇ ਬੀਜਿੰਗ ਸਾਇੰਸ ਫਾਊਂਡੇਸ਼ਨ ਫਾਰ ਅਸਟੈਂਡਿੰਗ ਯੰਗ ਪੀਪਲ ਦੁਆਰਾ ਸਹਿਯੋਗ ਦਿੱਤਾ ਗਿਆ ਸੀ।
ਪੋਸਟ ਟਾਈਮ: ਸਤੰਬਰ-12-2023